表二 | 双稳态电路的设计公式及计算实例 |
要求 | (1)输出幅度Um=6V,(2)上升时间,tr≤100nS
(3)最高工作频率fmax=1MHz |
步骤 | 计算公式 | 计算实例 |
选择晶体管 | 若工作频率高时,应选用高速硅开关管
若工作频率低可选用低频硅或锗管 | 现选3DK,β=50
二极管选用2CK10 |
选择电源电压 | 图3为设计电路,故应确定ED、EC、EB | ∵采用箝位电路,故选ED≈Um
∴ED=6V,Ec=2ED=12v,Eb=-12 |
计算Rc | Rc<Ec/ED tr/CL
CL为集电极对地的电容(包括加速电容、分布电容、后级输入电容) | 现设CL=180pF
Rc<12/6 100×10
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/180×10
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=1.1kΩ |
计算Rk、RB | 为保证可靠截止,应满足:
Uces-[(EB+Uces)/(RK+RB)]RK<Ubeo
为保证可靠饱和,应满足:
β{[(Uco-Ubes)/RK]-[(EB+Ubes)/RB]}>[(Ec-Uces)/Rc]+IL
式中:Uces为饱和电压,对硅管Uces≈(0.3~0.4)V
Ubeo为截止管临界电压,Ubeo≈0.2V
Uco为截止管的集电极电压,应取:Uco=ED+(箝位管正向压降)IL为双稳电路灌入负截电流 | 现选Uces=0.4V,Ubeo=0.2V
0.4-[(12+0.4)/(Rk+RB)]Rk<0.2
∴RB<61RK (A)
现设IL=100mA,Ueo=6+0.4=6.4V
50[(6.4-0.7)/RK]-[(12+0.7)/RB]>[(12-0.4)/1]+10
∴RB>12.7RK/(5.7-0.43RK (B)
若选RK=6.8k由(A)算得RB<415K,由(B)式算得RB>31K,故选RB=39K |
选择CrRr | RrCr≤1/2fmax,通常Cr为几十pF
| 现选Cr=51pF
∴Rr≤1/6×10
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51×10=3.2k
故选Rr=2.4k |
选择加速电容CK | 对合金管CK为几百pF对高频外延管CK为几十pF | 现选Ck=51pF
计算结果标在图三中 |